Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам'яті
Вчені з Фуданьського Університету в Китаї створили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши пристрій флеш-пам’яті з назвою PoX. Цей пристрій здатен зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд, що виявилося значно швидше, ніж найшвидші сучасні енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Вчені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації умов тестування та прискорення розвитку технології. Зараз команда вчених працює над тим, щоб перетворити цей пристрій на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.
